(E-info) - Samsung vừa giới thiệu bộ nhớ 4 Gb (gigabit) LPDDR 2 với tốc độ lên đến hơn 1.000 MHz, cho khả năng xử lý nhanh và giúp các thiết bị di động như điện thoại, máy tính bảng trở nên nhẹ, mỏng hơn.
Trước kia, với bộ nhớ 2 Gb, để tạo được RAM 1 GB phải ghép 4 chip nhớ sát cạnh nhau. Còn với 4 Gb, Samsung chỉ cần dùng đến 2 chip. Điều này sẽ giúp giảm 20% chiều cao của thanh RAM, từ 1 mm xuống 0,8 mm đồng thời tiêu thụ điện cũng ít hơn 25%.
Thế hệ RAM mới của Samsung được sản xuất trên dây chuyền 30 nm với xung nhịp đạt 1.066 MHz (ngang với bộ nhớ laptop) cho hiệu năng hoạt động cao hơn 60% so với công nghệ trước đây vốn chỉ dừng lại ở mức 400 MHz.
Samsung hy vọng, bộ nhớ 4 Gb sẽ được sử dụng nhiều trong các máy tính bảng, smartphone chạy chip lõi kép, màn hình 3D... Công ty đã xuất xưởng RAM 1 GB (8 Gb) dựa trên công nghệ tiên tiến này từ đầu tháng 3 và dự kiến chuyển đến đối tác phiên bản 2 GB (16 Gb) trong tương lai gần
Nguyễn Hùng - VnExpress
Phiên bản in
Plain text
Bình luận (0 đã gửi)